通信技术

自超滑射频开关

        MEMS射频开关是一种控制电路通断状态的基础核心电子元器件,具有小体积、低成本、低能耗、低损耗、高线性度、高隔离度等特性, 本可广泛应用于无线通信、自动化测试(ATE)、相控阵雷达、工业/消费电气自动化设备等先进电子装备领域,但受触点可靠性、操作功率等性能限制,传统MEMS开关在相关领域一直无法实现大规模应用。
        基于自超滑技术的新型MEMS开关,利用超滑界面的极低摩擦、 无磨损、全接触等特性解决了传统MEMS射频开关寿命短、可靠性差等问题,彻底突破传统MEMS开关的主要技术瓶颈,把现有的射频开关的线性度提高了100倍以上,功率提升了10倍以上,实现真正意义上的 “理想开关”(Ideal Switch),成为电子行业最具突破性的技术革新。

功能

对电路中的射频信号进行通断、路由、相位改变,是射频系统基础核心器件。

原理

利用结构超滑副作为电流传输界面,可以将MEMS开关传输功率和寿命提高1-2个量级。

应用场景

5G/5.5G/6G基站、移动终端、相控阵雷达、高端医疗设备、半导体自动化(ATE)检测等领域。

5G/5.5G/6G基站
5G/5.5G/6G基站

5G/5.5G/6G基站

半导体自动化测试-探针卡
半导体自动化测试-探针卡

半导体自动化测试-探针卡

相控阵雷达
相控阵雷达

相控阵雷达

磁共振
磁共振

磁共振

性能参数

指标 半导体开关 自超滑射频开关
带宽范围 Khz~3.5 GHz DC~40 GHz
插入损耗 0.15-0.2 dB@4 GHz
>0.5 dB@5 GHz
≤0.15 dB@5 GHz
隔离度 <25 dB@4 GHz
<4 dB@5 GHz
25~50 dB@8 GHz
线性度 <90 dBm ip3:>110 dbm
最大输出功率 <2 W 20 W-200 W
开关响应时间 ns级 500 ns-5 μs
控制电压 <5 V 10-1000 V
封装尺寸 <1 mm*2 mm <3mm*2mm