5 nm最小线宽电子束曝光机 EBL
参数：
•束斑类型：高斯束斑
•加速电压： 125，100，75，50，25 kV
•束斑电流：5 pA-1000 nA
•最小束斑尺寸：1.7 nm
•最小线宽：优于5 nm
•写场尺寸：最大3000 μm
•曝光面积：小于8 inch.
•束斑类型：高斯束斑
•加速电压： 125，100，75，50，25 kV
•束斑电流：5 pA-1000 nA
•最小束斑尺寸：1.7 nm
•最小线宽：优于5 nm
•写场尺寸：最大3000 μm
•曝光面积：小于8 inch.
应用：
•微纳结构光刻
•集成光学器件，如光栅、光子晶体等器件光刻
•NEMS结构、复杂精细结构光刻
•光刻掩模板、纳米压印模板制作
800 nm最小线宽紫外光刻机 Aligner
参数：
•衬底尺寸：2/4/6英寸
•掩膜版尺寸：3/5/7英寸
•对准精度：±0.5 μm
•分辨率：≤ 0.6 μm
波长：365 nm、436 nm
•衬底尺寸：2/4/6英寸
•掩膜版尺寸：3/5/7英寸
•对准精度：±0.5 μm
•分辨率：≤ 0.6 μm
波长：365 nm、436 nm
应用：
•标准光刻
•MEMS光刻
•压印光刻
•键合对准
•背面对准
微流控光刻
电极光刻
600 nm最小线宽激光直写光刻机
参数：
•最小地址网格：10 nm
•加工线性光栅时，图形的最小分辨率：150 nm
•光刻最小结构尺寸：600 nm
•直写速度：6-1000 mm²/min
•最小地址网格：10 nm
•加工线性光栅时，图形的最小分辨率：150 nm
•光刻最小结构尺寸：600 nm
•直写速度：6-1000 mm²/min
应用：
•掩膜版加工
•三维微结构加工
•MEMS生物芯片加工
•传感器加工
•灰度曝光
250 nm~5 μm周期纳米图形阵列光刻机
参数：
•兼容4英寸及以下
•套刻对准精度1-2 μm
•周期分辨率：250 nm-5 μm
•线宽分辨率：100 nm
•占空比：30%-50%可调
•周期精度优于0.1 nm
•大面积均匀光场图形均匀性优于10%
•兼容4英寸及以下
•套刻对准精度1-2 μm
•周期分辨率：250 nm-5 μm
•线宽分辨率：100 nm
•占空比：30%-50%可调
•周期精度优于0.1 nm
•大面积均匀光场图形均匀性优于10%
应用：
•适合科研及小批量生产需求
•AR衍射光波导
•低成本、高效率制备大面积纳米周期阵列结构
•纳米孔阵列-生物介质孔
大面积光栅、流道曝光
感应耦合等离子体刻蚀机ICP-RIE
参数：
•动态温控：-20 °C到300 °C；
•样品尺寸：最大支持直径200 mm晶圆；
•模式：带预真空室
不均匀度 < 5% (6”)
压力范围 0.1 Pa … 20 Pa
功率范围 100 … 1200 W
下电极温度范围：室温~+250°C
•动态温控：-20 °C到300 °C；
•样品尺寸：最大支持直径200 mm晶圆；
•模式：带预真空室
不均匀度 < 5% (6”)
压力范围 0.1 Pa … 20 Pa
功率范围 100 … 1200 W
下电极温度范围：室温~+250°C
应用：
•刻蚀材料：介质，石英，玻璃，硅，氮化硅等介质膜层,金属
•硅基光电子
DOE
压印模板刻蚀
超表面阵列
等离激元
金属光栅
电感耦合等离子体刻蚀机 ICP
参数：
•兼容50 mm至200 mm直径的衬底，衬底厚度最大可达10 mm
•电极的温度范围：-150℃至+ 400℃
•可自动进行模式切换
+400℃
•兼容50 mm至200 mm直径的衬底，衬底厚度最大可达10 mm
•电极的温度范围：-150℃至+ 400℃
•可自动进行模式切换
+400℃
应用：
•适用材料： Si
•适用工艺：Bosch（50：1等大深宽比硅刻蚀）/非Bosch（浅硅刻蚀）
•适用领域：微流控芯片/TSV/光电子/微纳米光学
离子束刻蚀机 IBE
应用：
•刻蚀的侧壁垂直度：≥ 85°
•刻蚀精度：≤ 10 nm
•终极抛光表面粗糙度Ra = 0.1 nm
•刻蚀的侧壁垂直度：≥ 85°
•刻蚀精度：≤ 10 nm
•终极抛光表面粗糙度Ra = 0.1 nm
应用：
•三维结构刻蚀
•材料表面清洗
•材料表面终极抛光
金属结构等物理刻蚀
键合机 Bond aligner
参数：
•最大粘合直径：200毫米（8英寸）
•最大粘合直径：200毫米（8英寸）
应用：
•MEMS晶圆键合
•LED晶圆键合
•先进封装
•2.5和3维集成
