类金刚石薄膜沉积系统DLC
参数：
衬底尺寸：8英寸向下兼容
衬底尺寸：8英寸向下兼容
应用：
坚硬的DLC膜可以镀在低熔点衬底上，提高其耐磨性，防止其刮伤。
等离子体增强原子层沉积系统PE-ALD
参数：
•兼容直径100 mm至200 mm的晶圆
•基板加热器最高温度可达500℃•升温速率 ≥ 10℃/min
•基板加热控温精准度为±5℃
•兼容直径100 mm至200 mm的晶圆
•基板加热器最高温度可达500℃•升温速率 ≥ 10℃/min
•基板加热控温精准度为±5℃
应用：
适用于Al2O3，SiO2，HfO2，TiO2，TaN，AlN，SixNy等材料薄膜制备。
低压力化学气相沉积机LPCVD
参数：
•淀积TEOS(SiO2)薄膜工艺：片内/片间均匀性： ≤±3%
•淀积Poly-Si薄膜工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%
•氧化工艺：片内/片间/批间均匀性：≤±3%
•淀积Si3N4薄膜
工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%
•淀积TEOS(SiO2)薄膜工艺：片内/片间均匀性： ≤±3%
•淀积Poly-Si薄膜工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%
•氧化工艺：片内/片间/批间均匀性：≤±3%
•淀积Si3N4薄膜
工艺：片内均匀性：≤±3%/片间均匀性：≤±4% /批间均匀性：≤±3%
应用：
批量制备氧化硅片/氮化硅片/生长多晶硅等。
磁控溅射镀膜机-介质
参数：
•衬底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反应溅射
•衬底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反应溅射
应用：
•衬底尺寸：8英寸向下兼容
•ICP反应溅射 •溅射各类介质膜
如：氧化硅/氧化钛/氮化硅等
磁控溅射镀膜机-金属
参数：
•衬底尺寸：6英寸向下兼容
•膜厚均匀性: 150 nm±3%
•可以加热至500℃
•衬底尺寸：6英寸向下兼容
•膜厚均匀性: 150 nm±3%
•可以加热至500℃
应用：
溅射金属薄膜，如Au、Pt、Ti、Cr、Al、Ni、Cu、Ag等。
电子束蒸发镀膜机EB
参数：
•衬底尺寸：8英寸向下兼容
•一炉可镀10片四寸基片
•衬底尺寸：8英寸向下兼容
•一炉可镀10片四寸基片
应用：
可制备介质膜，如TiO2、Al2O3、SnO2、SiO2等，以及金属膜，如 Au、Pt、Cr、Al、Ni、Ta、Nb、Cu等。
化学机械抛光机CMP
参数：
•兼容直径100 mm、150 mm的晶圆
•SiO2在Si上的Ra：0.186 nm
•高精度：WIWNU ＜ 5%
•兼容直径100 mm、150 mm的晶圆
•SiO2在Si上的Ra：0.186 nm
•高精度：WIWNU ＜ 5%
应用：
CMP技术最广泛的应用是在集成电路（IC）和超大规模集成电路（ULSI）中对基体材料硅晶片的抛光。
聚焦离子束电子束双束显微镜FIB
参数：
•电子束分辨率：
0.7 nm at 30 keV STEM
•灵活的5-axis机动平台
XY范围110 mm
Z范围65 mm
旋转360°
最大样品宽度尺寸110 mm
•配UltimMax 65能谱仪
•配Nordlys Max电子背散射衍射仪
•电子束分辨率：
0.7 nm at 30 keV STEM
•灵活的5-axis机动平台
XY范围110 mm
Z范围65 mm
旋转360°
最大样品宽度尺寸110 mm
•配UltimMax 65能谱仪
•配Nordlys Max电子背散射衍射仪
应用：
具有为各种样品（包括非导电材料）进行出色的样品制备和微纳加工能力，可用于芯片失效分析，截面分析，EBSD测试，以及TEM制样等。
