大面积激光直写/微透镜阵列/256阶灰度

微透镜通常采用激光直写灰度曝光或光刻胶热回流工艺，个别要求配套刻蚀转移微结构至硬质基底。
微透镜可基于微纳米光学角度实现聚焦、成像，光束变换等功能。由于单元尺寸小、集成度高，使其构成多种新型光学系统，完成传统光学元件无法完成的功能。

纳米光学/纳米压印模板/大面积光栅曝光（nm级）

纳米压印模板，一般指普通硅材料模板，结构单元尺寸大多为纳米尺度，但图形面积极大（厘米级），用于纳米压印生产。大部分模板都需要用到电子束曝光配套刻蚀来实现初始模板制作，由于电子束曝光成本高昂，后续通过纳米压印复制模板的工艺来降低生产成本。一般用于AR/VR镜片，光电或其他光学器件，太阳能电池等。

硅基光电子/超表面/衍射光学元件

硅基光电子器件，多采用硅/氮化硅/铌酸锂等基底制备加工，其中SOI较为常用，一般加工光子晶体，光栅，波导，微环，谐振腔等结构。主要有集成度高，以光子代替电子传递信息热损耗小，功率损失低，体积小等优势。
超透镜/超结构多为大高宽比结构，通常采用电子束曝光结合刻蚀来实现。衍射光学元件，英文简称DOE，其可以保持较高衍射效率的同时对光强分布进行精确控制。

AFM探针悬臂梁

AFM探针悬臂梁是原子力显微镜的核心部件，由一端固定、另一端悬着尖锐探针的细长弹性梁构成。其工作原理基于探针与样品表面之间的相互作用，导致悬臂梁发生微小偏转。这些偏转通过激光和光电探测器系统被精确检测并转换为电信号，从而反映出样品的表面形貌和物理性质。悬臂梁的刚度、共振频率和偏转灵敏度对AFM的成像质量和测量精度至关重要，使得AFM能够实现原子级别的高分辨率表面成像和分析。

TSV深硅/硅湿法腐蚀

通过光刻配合深反应刻蚀来实现硅通孔结构的制作，结合电镀工艺实现金属填充，或通过CVD实现多晶硅等材料填充。
湿法腐蚀具有反应速率快，各向同性的特征，对某些器件层的释放以及特定形貌结构制备起着重要作用，如BOE配合临界干燥可实现大多数硅基悬臂梁器件制作。

小线宽金属刻蚀/小线宽金属剥离

小线宽金属刻蚀是一种微电子制造工艺,它利用化学或物理方法精确去除金属层，以形成微电子器件中的细小导电线路。小线宽金属剥离是通过精确的化学或物理方法移除芯片上的细小金属层。这一过程要求高度的选择性和控制力，以确保仅移除目标金属，而不损害其他材料，从而保持器件的性能和完整性。

介质及金属沉积/原子层沉积

介质及金属沉积是在芯片上形成绝缘层和导电层的过程。通过化学气相沉积或物理气相沉积技术，将介质材料和金属材料精确地涂覆在硅片表面，以实现器件的绝缘隔离和电路连接。

微纳米流道/硅-玻璃阳极键合

微流控芯片中常具备微纳米流道，便于细胞或者其他液体进行流通和筛选目标结构，不论是微米纳米流道，均可以根据不同尺寸选择不同的曝光方式结合刻蚀或是翻模来实现具备微纳米流道器件。多用于液滴微流控，细胞筛选，器官芯片等。

柔性电极

近些年，智能穿戴、医用植入、电子皮肤等不断被提出，柔性电子产品也在快速发展中，在医疗，娱乐，航空航天都有着巨大的发展潜力，打造像皮肤一样柔软的电极，我司柔性电极一般加工衬底为PI/PET/PVA等，电极材料一般为金银铜等金属。

石英刻蚀

石英刻蚀通常指的是使用化学或物理方法去除石英材料表面的过程。石英，也称为二氧化硅（SiO₂），是一种化学稳定性极高的材料，广泛应用于半导体制造、光纤通信、光学元件等领域。石英刻蚀技术的选择取决于所需的刻蚀精度、刻蚀速率、刻蚀深度和选择性等因素在微电子和光电子领域，石英刻蚀技术常用于制造波导、光栅、微流控芯片等精密器件。